RS1M快恢复二极管的基本性能参数及要求

　　RS1M快恢复二极管，主要是指与快速晶闸管、高频率晶闸管和GT0、IGCT、leGT等晶闸管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M快恢复二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1微秒以上，多采用扩散型通过结构和电子辐射技术，电流从数十安培到数千安培，电压从数百伏到3000伏不等。

　　然而，还有一种快恢复二极管，它与IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢复二极管，它不但性能快，还需要软特性，以避免高电压峰值、射频干扰和电磁干扰。一般国外生产IGBT、M0SFET的公司也生产了与之配套的快速恢复二极管，目前国内还没有商业IGBT和快速恢复二极管的量产。因为快恢复二极管比较IGBT来说，较为低端，但随着我国综合实力的提升，快恢复二极管也宣布正式立项，未来有着很好的发展趋势。

　　RS1M快恢复二极管的技术性能及标准是：

　　(1)恢复速率快，即反向恢复时间trr要小。

　　(2)正向压降小，即标准VF小，以降低通电情况下的功能损耗。

　　(3)反向漏电流Ir小，以减少关闭情况下功能损耗。

　　(4)反向峰值电流小，减少了二极管反向电流对控制电路中其它开关装置的影响;

　　(5)反向恢复的软S较大，减少电压瞬间感应过冲，避免震荡。

　　(6)快速恢复二极管还必须有很好的温度稳定性，以减少或避免由于器件温度升高而造成的性能退化现象。具有正的温度系数的正压功率二极管具有良好的温度稳定性。

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