静电放电又称为ESD,是电子电路中普遍需要应对的问题,一般我们选用电容器作为ESD保护器件,价格便宜,效果也比较好。事实上有多种方法可以保护器件免受 ESD 影响,比如TVS等,我们今天重点介绍一下电容器充当ESD保护器件的计算选型。
下面是一个典型电路,其中陶瓷电容器安装在具有裸露迹线以防止 ESD 的 IC 中。
1.电容器充当ESD保护器件的原理
电容是一种无源器件,能够在其极板上存储电荷。举个例子,如果一个人在铺有地毯的地板上行走,人和地板就像电容的两个极板,地毯把两个极板隔开,此时人和地板就可以等效成电容,人的身体就会积累电荷,此时用手触摸裸露的IC引脚时,身上的电荷会释放到IC上,从而可能导致IC被静电击穿。
ESD的等效模型如下图所示,C ESD表示体电容,而V ESD是与该电容相关的静电放电峰值电压。在我们之前的一个项目中,我们假定C ESD和 V ESD分别为330pF 和 8kV。
2.电容器充当ESD保护器件的容值计算
因此,当在铺有地毯的地面上行走时,体内的电荷可以被视为初始电荷。根据电荷方程 Q=C*V,我们可以根据上图列出以下方程:Qinitial=C ESD*V ESD;
当触摸裸露的IC引脚时,根据电荷守恒定理,体内的电荷会转移到IC引脚和引脚旁边的电容器上,等效电路如下:
电容两端最终的电荷是:Qfinal=Cfinal*Vfinal;其中Cfinal 是 C1和C ESD的并联电容值, Vfinal是施加在IC引脚上的等效静电放电电压,这也是电容C1将承受的电压。Cfinal =C1+C ESD;
根据电荷守恒:Qinitial=Qfinal;
C ESD*V ESD=Cfinal*Vfinal;
那么Vfinal可以计算如下:
电容C1可以计算如下:
以上就是当电容用于静电防护时,电容选型容值以及电压的计算。
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