使用过程中如何避免二极管过载损坏

　　二极管作为一种基础电子元器件，所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类，可分为硅二极管和锗二极管;根据据应用场合分类，可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。不论怎么分，台湾佰鸿一级代理商鑫环电子认为二极管有一个参数十分重要，会直接影响到晶体管是否会因过载损坏。

　　耗散功率也称集电极更大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的更大集电极耗散功率。是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。在线性条件下，导通的耗散功率计算比较简单，PD=I2R,或者PD=U2/R;而在开关状态下，计算相对比较复杂。

　　二极管的耗散功率与允许的节温有关，硅二极管允许的更大节温是150℃，而锗允许更大节温85℃。半导体工作温度是有限的，当实际的功率增大是，其节温也将变大，当节温达到150℃是，此时的功率就是更大的耗散功率。当然，耗散功率与封装大小也有一定的关系，通常封装大点的器件，其更大耗散功率也相对大点，比较常见的就是大功率器件拥有大体积，大面积的散热金属面。

　　一个具体型号的二极管其耗散功率与测试条件有关，比如测试环境温度和散热条件。通常情况下，测试出来的更大耗散功率是在25℃下。随着环境温度的升高，其更大的耗散功率将减少，因为该条件下的导热温差变小，比如说在25℃下，某二极管耗散功率能达到1W，在75℃情况下，耗散功率可能变成0.4W。允许更大耗散功率与散热条件有关，散热条件越好，耗散功率越高，在同一环境温度下，耗散功率为1W，加了散热片之后，耗散功率可能变为1.7W。

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