肖特基二极管在电子应用中非常常见,肖特基二极管少数载流子的存储效应非常小,反向恢复时间较快恢复是相对小的。
二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间,大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR,这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分,分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管,反向恢复时间随着速度的提高而降低。快恢复二极管的tRR为几百纳秒,而超高速快恢复二极管的tRR为几十纳秒。低功耗应用中,替代快恢复二极管的一种选择是肖特基二极管,这种二极管的恢复时间几乎可以忽略,反向恢复电压VF也只有快恢复二极管的一半(0.4V至1V),但肖特基二极管的额定电压和电流远远低于快恢复二极管,无法用于高压或大功率应用。另外,肖特基二极管与硅二极管相比具有较高的反向漏电流,但这些因素并不限制它在许多电源中的应用。
快恢复二极管的恢复时间是 250-500ns
超快恢复二极管的恢复时间是 75-250ns
肖特基二极管的恢复时间是 10ns左右
而且他们的正向导通电压也有所不同,肖特基<快恢复<超快恢复二极管
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